矽電容和積層陶瓷電容(MLCC)的比較

矽電容和積層陶瓷電容(MLCC)的比較

安裝時的晶片站立現象(曼哈頓現象、站立現象)

安裝時出現的晶片站立現象,通常也被稱為“曼哈頓現象”或“站立現象”。

造成這種現象的原因有很多,如焊料量偏差、焊料熔融時間偏差、安裝時產品位置偏移等。

由於矽電容採用的是底面電極結構,側面無電極,產品在水平方向不會產生拉力,所以結構上可以有效避免回流焊導致的晶片站立現象。

而積層陶瓷電容(MLCC)因為採用的是積層電極結構,產品側面有電極,因此會產生水平方向的拉力。

此時,由於前述原因,就有可能產生回流焊引發的晶片站立現象。

MLCC:積層電極結構

產品側面和底面會被焊料拉扯,因此在紅色箭頭方向會產生作用力。如果是積層電極,電極和焊料的接觸面積差更大。

如果電極間的偏差大,電極上就會產生多個沿紅色箭頭方向的拉力,最終電極會被拉向接觸面積較大的一側,可能產生晶片站立現象。

矽電容:底面電極結構

側面沒有電極,所以只會產生朝向電路板正下方的力。

由於採用的是底面電極結構,所以不容易產生晶片站立現象。

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